1月30日，中国电科“45-22nm低能大束流离子注入机研发与产业化”项目高分通过验收，标志着完全由我国自主整体设计、关键技术创新的低能大束流离子注入装备实现了从消化吸收到自主创新与产业化阶段的跨越式发展。

“45-22nm低能大束流离子注入机研发与产业化”项目是电科装备牵头的“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项之一。

 项目验收会上，来自装备、工艺、集成电路制造、财务等领域的30余专业人士组成的验收专家组，对项目进行了正式验收。专家组一致认为，“45-22nm低能大束流离子注入机研发与产业化”项目各项指标达到任务合同书规定的考核要求，完成了任务合同书规定的研发内容。

 专家组表示，“45-22nm低能大束流离子注入机研发与产业化”项目，突破了离子源及低能减速机构、设备输片系统优化设计与控制算法研究等关键技术，开展了45-22nm离子注入掺杂工艺开发及CMOS器件研制评价、65-45nm器件制作离子注入关键工艺研究与验证，开发了适用12英寸生产线45-22nm工艺制程的低能大束流离子注入机，并进行了设备性能评价；项目建成满足了45-22nm工艺制程的离子注入机研发及产业化平台、离子源实验平台、零部件检测平台、系统集成与检测平台，项目承担单位具备20台/年的生产能力。

“45-22nm低能大束流离子注入机研发与产业化”项目在实施过程中，重点攻克了离子光学设计、整机光路系统等数项核心技术，打破了国外在离子注入机领域内的技术封锁，并以技术突破和产业化为基点，以人才队伍培育为重点，以国内先进的集成电路生产线为平台，注重知识产权体系的建立与完善，建立了集设计、研发、制造、调试、服务为一体的研制体系，实现了核心零部件国产化与整机制造工程化，工艺满足合同要求，并根据市场需求拓展延伸到28nm节点。通过联合各方优势资源，提升了关键技术，成功制备了满足45-22nm注入工艺的低能大束流离子注入机并实现销售。（杨丹宁、卓祖亮、杨晓艾）